新洁能公司产品应用案例介绍
- NCEPOWER PRODUCT APPLICATION CASE INTRODUCTION -
—— MOSFET ——
▋ 中低压功率MOSFET（20V-40V&50-250）
低压功率MOSFET（20V-40V）
中压功率MOSFET（50V-250V）
产品特征：
- 高可靠性、高一致性、高稳定性
- 大功率和大电流处理能力
- 极低的导通电阻
- 极低的栅电荷
- 良好的抗雪崩冲击能力
- 高抗静电能力
产品应用：
- 锂电池保护模块
- 转换开关/LED 显示器/LCD 监视器
- 马达控制/逆变器/开关电源
- 笔记本电脑/手机等电源管理
产品特征：
- 低导通电阻，低栅极电荷
- 高散热能力，高结温下，大电流持续导通能力
- 高EAS能力（100% UIS测试）
- 电参数高度一致性和重复性
- 特殊制程，高防静电能力（ESD）
产品应用：
- 电动车控制器
- 开关电源， UPS电源，工控电源，太阳能电源，机箱电源，逆变器，电力电源，照明电源，定制电源
- 充电器，电焊机，机电设备等
▋ Super Junction MOSFET（600V-900V）
利用先进的电荷平衡技术，新洁能全新推出第二代超结 MOSFET 系列产品，在第一代超结 MOSFET 产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度，产品特征导通电阻（Rdson*A）降低 40%，开关损耗降低 12%，总能效提升 1.7%。我们为电路设计师提供 600V-900V， 4A-20A 的多样电压-电流选择，同时也为您带来SOP-8 至 TO-247 的不同功率选择，实现占用更少的电路板空间，并且提高可靠性。
通过采用领先的单层外延工艺技术，第二代超结 MOSFET 当中新增 700V-900V的产品系列，为系统应用提供更加充足的耐压余量，简化电路设计难度，提高更
高的系统可靠性。这些产品广泛适宜于对系统效率有更高要求的照明应用、各类电源、适配器以及智能手机、平板电脑充电器。
产品特征：
- 卓越的功率转换效率
- 极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻（Ron*A）
- 极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的 FOM（Ron*Qg）
- 更小的封装体积
- 卓越的 EAS能力（100% EAS 测试）
产品应用：
- 电脑、服务器的电源 —— 更低的功率损耗
- 适配器（笔记本电脑，打印机等）—— 更轻、更薄
- 照明（HID/LED 照明，工业照明，道路照明等） —— 更高的功率转换效率
- 消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）—— 更 轻、更薄、更高能效
▋ 新一代 600-650V 超结功率 MOSFET(SJ-MOS Ⅱ系列 )
采用先进的超结耐压原理和更优化的设计结构的新一代600-650V超结功率MOSFET SJ-MOS Ⅱ 系列产品，在原有 SJ-MOS I系列产品的基础上，进一步降低产品导通电阻和栅极电荷，更利于提高系统效率。
产品特征：
- 更低的导通电阻，利于降低导通损耗
- 极低的栅极电荷，提供更快的开关速度
- 同规格下更小的封装体积，使系统更轻便
- 更好的一致性，保证了系统的持续稳定运行
- 100% 雪崩能力测试，确保产品质量可靠
产品应用：
- LED 照明
- 适配器
- PC 电源
- 消费类电子产品
600V 18A～22A相近规格 MOSFET参数对比表
Rds（on）max. | Qgtyp. | |
某国产普通VDMOS | 0.45Ω | 70nC |
某进口普通VDMOS | 0.35Ω | 70nC |
某进口最新SJMOS | 0.19Ω | 63nC |
NCESJ-MOSⅠ | 0.19Ω | 55nC |
NCESJ-MOSⅡ | 0.18Ω | 45nC |
普通 VDMOS 与 SJ-MOS 原理图对比
650V 功率 MOSFETFOM=Rdson.max*Qg 对比情况
600V 18A- 22A 相近规格 MOSFET参数对比图
▋ 650V SJ-MOS Ⅱ 部分产品及对应封装类型展示
▋ 新一代 600-650V 超结功率 MOSFET(SJ-MOS Ⅱ系列 )
采用先进的超结耐压原理，推出全新的 700V-900VSJMOSⅡ系列产品，进一步优化了芯片内部结构，为系统应用提供充足的耐压余量，简化系统设计难度，提高系统可靠性，满足客户对高耐压、低导通电阻、高效率的超结 MOSFET 的需求。
特点与优势：
- 更高的耐压为系统设计和应用提供更充足的余量
- 更低的导通电阻，利于降低导通损耗
- 极低的栅极电荷，提供更快的开关速度
- 同规格下更小的封装体积，使系统更轻便
- 100% 雪崩能力测试，确保产品质量可靠
应用：
- 正激电路
- 准谐振反激电路
- 适配器
- 太阳能逆变器
- 工业整流
700~900V SJ-MOS II FOM 对比情况
SJ-MOS 系列产品开发情况
▋ 新一代 700-900V 超结功率 MOSFET SJ-MOS Ⅱ系列
