新洁能公司产品应用案例介绍
- NCEPOWER PRODUCT APPLICATION CASE INTRODUCTION -
—— IGBT ——
▋ IGBT(1200V-1350V)
新洁能新一代 IGBT 采用了沟槽结构的电场截止型技术(Trench Field Stop),沟槽元胞结构大大增加了器件的功率密度,通过先进的超薄片工艺制程(Ultra Thin Wafer Process)在芯片集电极端使用电场截止型(Field Stop)结构,从而显著降低了器件的饱和导通压降(Vce(sat))和关断损耗(Eoff),对比上一代产品,器件功率损耗(导通损耗与开关损耗之和)降低了 33%,配合搭载独立的等电压快速恢复二极管FRD),适宜于电磁加热等各类软开关应用。
新一代 1350V 产品系列将器件击穿电压提升至新的标准,并且确保产品在严酷的环境下依然具有稳定一致的电参数和牢固的可靠性。与此同时,新一代 IGBT 系列产品采用先进的载流子控制技术,使得器件在获得更低功率损耗的同时还具有更强的雪崩耐量和短路电流耐量,对比上一代产品,新一代 FS IGBT 系列产品的短路电流耐量提升 50%,达到业内领先水平。
产品特征:
产品应用:
▋ VCES: 1200V-1350V LPT IGBT 产品列表